2021年西南科技大學(xué)材料科學(xué)與工程考研材料科學(xué)基礎(chǔ)科目真題

一、選擇題(每小題3分，共60分)

1、鎂橄欖石[Mg₂SiO₄]是( )。

A:島狀結(jié)構(gòu)

B:層狀結(jié)構(gòu)

C:鏈狀結(jié)構(gòu)

D:架狀結(jié)構(gòu)

2、離子晶體中，由于離子的極化作用，通常使正負(fù)離子問(wèn)的距離( ), 離子配位數(shù)( )。

A:增大，降低

B:減小，降低

C:減小，增大

D:增大，增大

3、某一晶面在a、b、c三個(gè)結(jié)晶軸上的截距分別為2a、2b、c,該晶面的晶面指數(shù)為( )。

A: [211]

B:(211)

C:[12]

D:(112)

4、當(dāng)N個(gè)等大的球體作面心立方堆積時(shí),形成的八面體空隙個(gè)數(shù)為()。

A:N

B: 2N

C: 3N

D: 4N

5、TIO₂ 是還原氣氛下燒結(jié)時(shí)形成常見(jiàn)的( ) 的半導(dǎo)體材料，其燒結(jié)體色澤隨著氣氛中氧氣分壓的降低而( )。

A:陽(yáng)離子空位型、加深

B:陰離子空位型、變淺

C:陰離子空位型、加深

D:陰離子填隙型、變淺

以上是部分真題，完整真題請(qǐng)下載文末附件查看。

附件：

材料科學(xué)基礎(chǔ)真題.pdf

原文鏈接：

2021年西南科技大學(xué)材料科學(xué)與工程考研材料科學(xué)基礎(chǔ)科目真題